几种RAM存储器芯片的介绍

(6)几种RAM存储器芯片的介绍

1)静态RAM6116芯片

6116芯片是高速静态CMOS随机存储器,容量是2K×8位,即2K字节,每一个字节是8位。它有11根地址线(21=2048=2KB),其中7根用于行地址译码输入,4根用于列地址译码输入。每一根列地址译码线控制8个基本存储单元。片内有16384个基本存储单元(2048×8=16384)。6116的引脚图如图4.7所示。

6116芯片有24个引脚,11根地址线,8条数据线,1条电源线Vcc,1条地址线GND,3条控制线(CS、OE、WE)。CS使芯片选中,OE和WE共同决定芯片的工作方式,如表4.1所示。

2)静态RAM6264芯片

6264是8K×8位的随机存储器芯片,它采用CMOS工艺制造,单一+5V供电,额定功耗200mW,典型存取时间200ns。它有28个引脚,双列直插封装其中13根地址线A0~A12,8根数据线I/Oo~I/O2,4根控制线CE1、WE、OE1、CE2,一根地线GND,一根电源线。4根控制线的状态决定芯片的工作状态。如图4.8所示是6264引脚分配图。表4.2列出了6264的工作方式与控制信号的关系。

3)动态RAM芯片2186/2187

2186/2187片内具有8K×8位集成动态随机存储器,单一+5V供电,工作电流70mA维持电流20mA,存储时间为250s,引脚与6264兼容,采用双列直插式封装。2186与2187不同点在于2186的引脚1是CPU的握手信号,而2187是刷新控制输入端.2186/2187有28个引脚,13根地址线A,~A2,8根数据线I/O,~I/O,4根控制线,其中的CNTRL对2186是与CPU握手信号线RDY,对2187是刷新控制线REFEN,CE是片选端,WE是写入控制端,OE为允许输出控制端。2186芯片的引脚分配如图49所示。

4)动态RAM芯片MCM511000A

MCM5II0O0A是Motorola公司推出的一种高速动态RAM芯片,容量是1M×1位。片内有1048576个基本存储单元。采用双列直插式封装,共有20个引脚,其中地址线有10条,这10条地址线既是行地址线,又是列地址线,分时复用:数据线有2根,一根用于输出(Q),另一根用于输入(D):有4根控制线,W用于读/写控制,RAS用于行地址选通,CAS用于列地址选通,TF是测试功能使能。MCM511000A引脚排列如图4.10所示。

本芯片的一个特点是行、列地址共用10根地址线。通过RAS和CAS控制,首先,地址线上送来高10位地址线,由RAS控制送入芯片内“行地址锁存器”,然后,地址线上送来低10位地址线,由CAS控制送入“列地址锁存器”。另外一个特点是数据输入和输出线是分离的,由D输入数据,由Q输出数据。当W是低电平时,D上的数据写入存储器;当W是高电平时,数据从Q读出。

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